AO4430L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

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    AO4430L场效应管规格:

    FET 类型:N 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 18A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):124nC @ 10V

    Vgs(最大值):±20V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7270pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SOIC

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


    场效应管的选择方法:

    1、当控制电压可正可负时,应选择耗尽型场效应管。

    2、当信号内阻很高时,为得到较好的放大作用和较低的噪声,应选用场效应管;而当信号内阻很低时,应选用三极管。

    3、在低功耗、低噪声、弱信号和超高频时,应选用场效应管。

    4、在作为双向导电开关时应选场效应管。

    


型号/规格

AO4430L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装