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产品属性
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AO3419场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作负载开关应用。
AO3419场效应管规格:
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
制造商零件编号:AO3419
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):620pF @ 10V
AO3419
AOS
贴片
无铅环保型
直插式
卷带编带包装