电路保护 电涌抑制TBU-CA025-300-WH

深圳市 英瑞尔电子科技有限公司（Inreal)是一家专注于工业控制、航空航天、物联网、电力电子、通讯网络、汽车电子 、医疗电子等行业优质供应商。
公司成立于2006年，自成立以来一直信守“以质量求生存、以信誉求发展”的发展理念。在十多年的发展中，公司以“质量可靠、响应及时、周期保证、价格公道”为工作原则，坚持做到了想用户所想，急用户所急，努力为用户排忧解难。使公司获得了用户的高度认可，公司也得到长足的进步和发展。先后被多家民企客户评为优质供应商。被多家大中型国企和科研院所评为优质合格供方。

• 大小：277.8KB
• 厂家：IRF [International Rectifier]
• 描述：HEXFET Power MOSFET
• 标准包装：25
• 类别：分离式半导体产品
• 家庭：FET - 单
• 系列：HEXFET®
• FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 特点：逻辑电平门
• 漏极至源极电压(Vdss)：75V
• 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
• 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
• Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
• 闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
• 功率 - ：520W
• 安装类型：通孔
• 封装/外壳：TO-247-3
• 供应商设备封装：TO-247ACI


• 大小：277.8KB
• 厂家：IRF [International Rectifier]
• 描述：HEXFET Power MOSFET
• 标准包装：25
• 类别：分离式半导体产品
• 家庭：FET - 单
• 系列：HEXFET®
• FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 特点：逻辑电平门
• 漏极至源极电压(Vdss)：75V
• 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
• 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
• Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
• 闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
• 功率 - ：520W
• 安装类型：通孔
• 封装/外壳：TO-247-3
• 供应商设备封装：TO-247ACI


• 大小：277.8KB
• 厂家：IRF [International Rectifier]
• 描述：HEXFET Power MOSFET
• 标准包装：25
• 类别：分离式半导体产品
• 家庭：FET - 单
• 系列：HEXFET®
• FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 特点：逻辑电平门
• 漏极至源极电压(Vdss)：75V
• 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
• 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
• Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
• 闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
• 功率 - ：520W
• 安装类型：通孔
• 封装/外壳：TO-247-3
• 供应商设备封装：TO-247ACI





• 	-Ch
  Drain-to-Source Voltage [Vdss]:	120V
  Drain-Source On Resistance-Max:	3.6mΩ
  Rated Power Dissipation:	300|W
  Qg Gate Charge:	158nC
  封装类型：	TO-263-7 (D2PAK7)
  安装方式：