深圳市 英瑞尔电子科技有限公司(Inreal)是一家专注于工业控制、航空航天、物联网、电力电子、通讯网络、汽车电子 、医疗电子等行业优质供应商。
公司成立于2006年,自成立以来一直信守“以质量求生存、以信誉求发展”的发展理念。在十多年的发展中,公司以“质量可靠、响应及时、周期保证、价格公道”为工作原则,坚持做到了想用户所想,急用户所急,努力为用户排忧解难。使公司获得了用户的高度认可,公司也得到长足的进步和发展。先后被多家民企客户评为优质供应商。被多家大中型国企和科研院所评为优质合格供方。
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大小:277.8KB
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厂家:IRF [International Rectifier]
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描述:HEXFET Power MOSFET
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标准包装:25
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类别:分离式半导体产品
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家庭:FET - 单
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系列:HEXFET®
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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点:逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss):75V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
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开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
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Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
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闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
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功率 - :520W
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安装类型:通孔
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封装/外壳:TO-247-3
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供应商设备封装:TO-247ACI
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大小:277.8KB
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厂家:IRF [International Rectifier]
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描述:HEXFET Power MOSFET
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标准包装:25
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类别:分离式半导体产品
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家庭:FET - 单
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系列:HEXFET®
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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点:逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss):75V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
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开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
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Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
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闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
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功率 - :520W
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安装类型:通孔
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封装/外壳:TO-247-3
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供应商设备封装:TO-247ACI
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大小:277.8KB
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厂家:IRF [International Rectifier]
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描述:HEXFET Power MOSFET
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标准包装:25
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类别:分离式半导体产品
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家庭:FET - 单
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系列:HEXFET®
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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点:逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss):75V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
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开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 毫欧 @ 195A,10V
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Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA
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闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds:19230pF @ 50V
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功率 - :520W
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安装类型:通孔
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封装/外壳:TO-247-3
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供应商设备封装:TO-247ACI
![](https://file2.dzsc.com/product/22/03/09/80114_151255991.jpg)
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-Ch
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Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
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120V
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Drain-Source On Resistance-Max:
|
3.6mΩ
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Rated Power Dissipation:
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300|W
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Qg Gate Charge:
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158nC
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封装类型:
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TO-263-7 (D2PAK7)
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安装方式:
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