标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 TrenchMOS™
其它名称 568-2369-2
PMGD780SN T/R
PMGD780SN115
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 490mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 920 毫欧 @ 300mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 1.05nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 23pF @ 30V
功率 - 最大值 410mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
