晶体管 > MOSFET > HUF75329D3ST

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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS 合规性豁免详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 128 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-2
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 33 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
系列: HUF75329
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 10 ns

单位重量: 260.370 mg

型号/规格

HUF75329D3ST

品牌/商标

Fairchild

供应晶体管 > MOSFET > HUF75329D3ST