供应MRF1518NT1

制造商: NXP 
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息 
商标: NXP / Freescale 
晶体管极性: N-Channel 
Id-连续漏极电流: 4 A 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
技术: Si 
增益: 13 dB 
输出功率: 8 W 
最大工作温度: + 150 C 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: PLD-1.5 
封装: Reel 
最小工作温度: - 65 C 
工作频率: 520 MHz 
Pd-功率耗散: 62.5 W 
系列: MRF1518NT1 
类型: RF Power MOSFET 
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V 
单位重量: 280 mg