产品种类: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TUMT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 9 ns
高度: 0.77 mm
长度: 2 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 800 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 9 ns
系列: RTF015N03
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 1.7 mm
