制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 9 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.8 V to 2 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Tube
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 3.8 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 2.3 ns
工厂包装数量: 95
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7.6 ns
制造商International Rectifier
