SI4126DY-T1-GE3

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Vishay Semiconductors
Id-连续漏极电流: 39 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 75 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 36 ns

型号/规格

SI4126DY-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

制造商

Vishay

产品种类

MOSFET

RoHS

符合RoHS

封装

SOIC-Narrow-8

供应SI4126DY-T1-GE3