供应IXFK98N50P3

制造商: IXYS 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-264-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 500 V 
Id-连续漏极电流: 98 A 
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V 
Qg-栅极电荷: 197 nC 
封装: Tube 
商标: IXYS 
配置: Single 
下降时间: 6 ns 
正向跨导 - 最小值: 96 S, 58 S 
Pd-功率耗散: 1.3 kW 
上升时间: 8 ns 
系列: IXFK98N50 
工厂包装数量: 25 
商标名: HyperFET 
晶体管类型: 1 N-Channel 
单位重量: 7.500 g