IPB65R150CFD

标准包装 1,000
包装标准卷带
类别分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 CoolMOS™
其它名称 IPB65R150CFDATMA1TR
SP

规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 900μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2340pF @ 100V
功率 - 最大值 -
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

型号/规格

IPB65R150CFD

品牌/商标

Infineon

类别

分立半导体产品

封装

TO-263-3

标准包装

1000

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

供应IPB65R150CFD