MJE15030 晶体管BJT 8A 150V 50W NPN

描述：Silicon NPN Power Transistors

类别：分离式半导体产品

家庭：晶体管(BJT) - 单路

系列：-

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：8A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：150V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大）：100μA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，2V

功率 - 最大：50W

频率 - 转换：30MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

其它名称：MJE15030OS

标准包装：50

These devices are designed for use as high−frequency drivers in

audio amplifiers.

Features

• High Current Gain − Bandwidth Product

• TO−220 Compact Package

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

Collector−Emitter Voltage

MJE15028G, MJE15029G

MJE15030G, MJE15031G

MJE15028, MJE15030 (NPN), MJE15029, MJE15031 (PNP)

型号/规格

MJE15030

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特性

大功率

频率特性

高频

极性

NPN型