特征
tè特 zhēng征
100V, 11A, RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 10V.
100V，11a，RDS（ON）= 180mΩ@ VGS = 10v。
1 0 0 V ， 1 1 a ， R D S （ O N ） = 1 8 0 m Ω @ V G S = 1 0 v 。
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
极低RDS（on）的超高密度单元设计。
jí极 dī低 R D S （ o n ） de的 chāo超 gāo高 mì密 dù度 dān单 yuán元 shè设 jì计 。
High power and current handing capability.
大功率和电流处理能力。
dà大 gōng功 lǜ率 hé和 diàn电 liú流 chǔ处 lǐ理 néng能 lì力 。
TO-251 & TO-252 package.
to-251 & TO-252封装。
t o - 2 5 1 & T O - 2 5 2 fēng封 zhuāng装 。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
绝对最大额定值TC = 25 C，除非另有说明
jué绝 duì对 zuì最 dà大 é额 dìng定 zhí值 T C = 2 5 C ， chú除 fēi非 lìng另 yǒu有 shuō说 míng明
Parameter
参数
cān参 shù数
Symbol
符号
fú符 hào号
Limit
极限
jí极 xiàn限
Units
单位
dān单 wèi位
Drain-Source Voltage
漏源电压
lòu漏 yuán源 diàn电 yā压
Gate-Source Voltage
栅源电压
zhà栅 yuán源 diàn电 yā压
Drain Current-Continuous
漏电流连续
lòu漏 diàn电 liú流 lián连 xù续
Drain Current-Pulsed a
漏电流脉冲A
lòu漏 diàn电 liú流 mài脉 chōng冲 A
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
最大功耗@ TC = 25 C
zuì最 dà大 gōng功 hào耗 @ T C = 2 5 C
- Derate above 25 C
-减免25以上C
N沟道增强型场效应晶体管
- jiǎn减 miǎn免 2 5 yǐ以 shàng上 C
