晶体管SI2301CDS-T1-GE3原装热卖！

制造商 Vishay Siliconix

制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 14 周

详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR

SI2301CDST1GE3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

优势供应：

 M51450G

 EL7536IYZ

 EL7536IYZ-T7

 SI2301CDS-T1-GE3

 EL7536IYZ(BFAAA)

 SN74AHC1G14DBVR

 SI2301CDS-T1-GE3

 SD1169

 SRFE1169

 AD620AN

 24LC641

 MRFA1600

 MRA1600-6

 MRF1600-2

 PH1600-30

 MRA1600-2

 PH1600-32

 PH1600-1.5

 MRA1600-30

 PH1600-6.5

 S08K31

 LVC16245A

 LVC16244A

 UF2010R

 TA7201S

 MRF136Y

 ST9917

 ATF10136

 SI2301CDS-T1-GE3

 M2557BM

 PA7674

 MGF1601

 D1217UK

 P9030MB

 MRF9030S

 MRF9030GR1

 MRF9030MR1

 MRF9030MBR1

 MRF9030GNR1