供应ON晶体管FDP2532全新原装热卖！

制造商 ON Semiconductor

制造商零件编号 FDP2532

ON晶体管FDP2532全新原装热卖

描述 MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 4 周

详细描述 通孔-N-沟道-pval-2068-8A（Ta）-79A（Tc）-310W（Tc）-TO-220-3

ON晶体管FDP2532全新原装热卖

标准包装   800

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 PowerTrench®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta），79A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 107nC @ 10V

ON晶体管FDP2532全新原装热卖

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5870pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 310W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220-3

ON晶体管FDP2532全新原装热卖

优势供应：

IPW60R045CS

IPW60R099CS

IPW60R125CP

IPS04N03LA

IPSH4N03LA

IPU04N03LA

IPS05N03LA

IPS06N03LA

IPSH6N03LA

ILD03N60

IPD03N03LA

IPD04N03L

IPD10N03LA

IPD12N03L

IPF09N03LA

IPD03N03LA

IPD04N03LA

IPD10N03LA

IPD12N03L

IPF04N03LA

IPF05N03LA

IPF09N03LA

BUZ74A

BUZ78

IGB03N120H2

IPB03N03LA

IPB09N03LA

IPB11N03LA

IPB14N03LA

IGB01N120H2

IGB15N60T

IGB50N60T

IPB04N03LA

IPB09N03LA

IPB10N03L

IPB11N03LA

IPB14N03LA

BSL207SP

BSL211SP

BSL307SP

IRF1010NS

1N5820

110CNQ045A

112CNQ030A

113CNQ100A