MOS管IPD350N06LGBTMA1原装优势库存！

制造商 Infineon Technologies

制造商零件编号 IPD350N06LGBTMA1

描述 MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

原厂标准交货期 13 周

详细描述 表面贴装型-N-通道-60V-29A（Tc）-68W（Tc）-PG-TO252-3

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS™

其它名称 IPD350N06L G

IPD350N06L G-ND

IPD350N06LG

IPD350N06LGBTMA1TR

SP000443746

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 68W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TO252-3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

优势供应：

 HMC694LP4ETR

 HMC695LP4ETR

 HMC699LP5ETR

 HMC700LP4ETR

 HMC701LP6CETR

 HMC702LP6CETR

 HMC703LP4ETR

 HMC704LP4ETR

 HMC706LC3CETR

 HMC707LP5ETR

 HMC708LP5ETR

 HMC709LC5ETR

 IPD350N06LGBTMA1

 HMC710LC5ETR

 HMC711LC5ETR

 HMC713LP3ETR

 HMC713MS8ETR

 HMC7149

 HMC7150LP4DETR

 HMC715LP3ETR

 HMC722LC3CETR

 HMC722LP3ETR

 HMC723LC3CETR

 HMC723LP3ETR

 HMC724LC3CETR

 HMC725LC3CETR

 HMC726LC3CETR

 HMC727LC3CETR

 HMC733LC4BETR

 HMC734LP5ETR

 HMC7357LP5GETR

 HMC735LP5ETR

 HMC737LP4ETR

 HMC739LP4ETR

 HMC740ST89E

 HMC740ST89ETR

 HMC741ST89ETR

 HMC743ALP6CETR

 IPD350N06LGBTMA1

 HMC744LC3ETR

 HMC745LC3ETR

 HMC746LC3CETR

 HMC747LC3CETR

 HMC748LC3CETR