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IRFBE30PBF标准包装 1,000
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FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点 Standard
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漏极至源极电压(VDSS) 800V
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电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.1A
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IRFBE30PBFRds(最大)@ ID,VGS 3 Ohm @ 2.5A, 10V
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VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250μA
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栅极电荷(Qg)@ VGS 78nC @ 10V
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输入电容(Ciss)@ Vds的 1300pF @ 25V
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功率 - 最大 125W
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安装类型 Through Hole
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包/盒 TO-220-3
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供应商器件封装 TO-220AB
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包装材料 Tube
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包装 3TO-220AB
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通道模式 Enhancement
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IRFBE30PBF最大漏源电压 800 V
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最大连续漏极电流 4.1 A
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RDS -于 3000@10V mOhm
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最大门源电压 ±20 V
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典型导通延迟时间 12 ns
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典型上升时间 33 ns
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典型关闭延迟时间 82 ns
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典型下降时间 30 ns
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工作温度 -55 to 150 °C
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安装 Through Hole
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标准包装 Bulk
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标准包装 Rail / Tube
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最大门源电压 ±20
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包装宽度 4.65(Max)
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PCB 3
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最大功率耗散 125000
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最大漏源电压 800
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欧盟RoHS指令 Compliant
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最大漏源电阻 3000@10V
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每个芯片的元件数 1
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工作温度 -55
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供应商封装形式 TO-220AB
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标准包装名称 TO-220
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最高工作温度 150
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渠道类型 N
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包装长度 10.51(Max)
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引脚数 3
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包装高度 9.01(Max)
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最大连续漏极电流 4.1
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标签 Tab
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铅形状 Through Hole
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P( TOT ) 125W
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匹配代码 IRFBE30PBF
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R( THJC ) 1K/W
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LogicLevel NO
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单位包 50
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标准的提前期 14 weeks
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最小起订量 50
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Q(克) 78nC
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无铅Defin RoHS-conform
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汽车 NO
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我(D ) 4.1A
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V( DS ) 800V
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技术 3rdGen
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的RDS(on ) at10V 3.0Ohm
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FET特点 Standard
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封装 Tube
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安装类型 Through Hole
深圳市首禾科技有限公司是专业从事电子元器件代理配套服务的知名品牌公司,也是目前深圳较大规模的原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、ON(安森美半导体)、TI(德州仪器)、TOSHIBA(东芝半导体)、CET(台湾华瑞)等品牌产品的供应商之一。