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IRF5210PBF标准包装 50
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FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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FET特点 Standard
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漏极至源极电压(VDSS) 100V
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电流-连续漏极(编号)@ 25°C 40A
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Rds(最大)@ ID,VGS 60 mOhm @ 24A, 10V
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VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250μA
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IRF5210PBF栅极电荷(Qg)@ VGS 180nC @ 10V
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输入电容(Ciss)@ Vds的 2700pF @ 25V
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功率 - 最大 200W
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安装类型 Through Hole
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包/盒 TO-220-3
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供应商器件封装 TO-220AB
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包装材料 Tube
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包装 3TO-220AB
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渠道类型 P
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通道模式 Enhancement
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最大漏源电压 100 V
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最大连续漏极电流 40 A
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RDS -于 60@10V mOhm
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最大门源电压 ±20 V
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典型导通延迟时间 17 ns
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IRF5210PBF典型上升时间 86 ns
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典型关闭延迟时间 79 ns
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典型下降时间 81 ns
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工作温度 -55 to 175 °C
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安装 Through Hole
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标准包装 Rail / Tube
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最大门源电压 ±20
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欧盟RoHS指令 Compliant
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最高工作温度 175
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标准包装名称 TO-220
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工作温度 -55
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最大漏源电阻 60@10V
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最大漏源电压 100
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每个芯片的元件数 1
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供应商封装形式 TO-220AB
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最大功率耗散 200000
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最大连续漏极电流 40
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引脚数 3
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铅形状 Through Hole
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FET特点 Standard
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封装 Tube
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安装类型 Through Hole
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电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 40A (Tc)
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的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250μA
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漏极至源极电压(Vdss) 100V
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供应商设备封装 TO-220AB
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开态Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 24A, 10V
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FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大 200W
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输入电容(Ciss ) @ VDS 2700pF @ 25V
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其他名称 *IRF5210PBF
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闸电荷(Qg ) @ VGS 180nC @ 10V
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封装/外壳 TO-220-3
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RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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类别 Power MOSFET
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配置 Single
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外形尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
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身高 8.77mm
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长度 10.54mm
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最大漏源电阻 0.06 Ω
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