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IRFB7440PBF 标准包装 50
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FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点 Standard
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漏极至源极电压(VDSS) 40V
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电流-连续漏极(编号)@ 25°C 120A
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IRFB7440PBF Rds(最大)@ ID,VGS 2.5 mOhm @ 100A, 10V
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VGS(TH)(最大)@ Id 3.9V @ 100μ A
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栅极电荷(Qg)@ VGS 135nC @ 10V
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输入电容(Ciss)@ Vds的 4730pF @ 25V
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功率 - 最大 208W
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安装类型 Through Hole
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包/盒 TO-220-3
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供应商器件封装 TO-220AB
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包装材料 Tube
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IRFB7440PBF 最大门源电压 ±20
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安装 Through Hole
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包装宽度 4.83(Max)
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PCB 3
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最大功率耗散 208000
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最大漏源电压 40
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欧盟RoHS指令 Compliant
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最大漏源电阻 2.5@10V
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IRFB7440PBF 每个芯片的元件数 1
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工作温度 -55
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供应商封装形式 TO-220AB
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标准包装名称 TO-220
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最高工作温度 175
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渠道类型 N
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包装长度 10.67(Max)
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引脚数 3
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通道模式 Enhancement
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包装高度 9.02(Max)
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最大连续漏极电流 208
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封装 Tube
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标签 Tab
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FET特点 Standard
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安装类型 Through Hole
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电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 120A (Tc)
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的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.9V @ 100μA
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漏极至源极电压(Vdss) 40V
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标准包装 50
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供应商设备封装 TO-220AB
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开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.5 mOhm @ 100A, 10V
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FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大 208W
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封装/外壳 TO-220-3
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输入电容(Ciss ) @ VDS 4730pF @ 25V
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闸电荷(Qg ) @ VGS 135nC @ 10V
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RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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类别 Power MOSFET
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配置 Dual Drain
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外形尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
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身高 16.51mm
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长度 10.67mm
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最大连续漏极电流 120 A
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最大漏源电阻 2.5 mΩ
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最大漏源电压 40 V
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最大门源电压 ±20 V
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最高工作温度 +175 °C
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最大功率耗散 208 W
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深圳市首禾科技有限公司是专业从事电子元器件代理配套服务的知名品牌公司,也是目前深圳较大规模的原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、ON(安森美半导体)、TI(德州仪器)、TOSHIBA(东芝半导体)、CET(台湾华瑞)等品牌产品的供应商之一。