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BSB013NE2LXIXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管 BSB013NE2LXIXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管 BSB013NE2LXIXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管
特征
针对高性能降压转换器优化的SyncFET
集成单片肖特基类二极管
薄型(《0.7毫米)
100%雪崩测试
100% R G测试
双面冷却
兼容DirectFET封装MX尺寸和外形1)
符合JEDEC2标准),适用于目标应用
无铅铅镀层;通过无铅
BSB013NE2LXIXUMA1介绍:
额定功率:57 W
极性:N-CH
耗散功率:2.8W (Ta), 57W (Tc)
漏源极电压(Vds):25 V
连续漏极电流(Ids):36A
上升时间:6.4 ns
输入电容(Ciss):4400pF @12V(Vds)
额定功率(Max):2.8 W
下降时间:4.8 ns
耗散功率(Max):2.8W (Ta), 57W (Tc)
封装:MG-WDSON-2
长度:6.35 mm宽度:5.05 mm高度:0.7 mm封装:MG-WDSON-2
工作温度:-40℃ ~ 150℃
科时进电子有限公司介绍:
深圳市科时进电子有限公司创立于1993年,是一家集渠道代理与分销的半导体公司,合作伙伴遍布全世界。优良的品质,强大的库存满足了客户的采购需求,覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势,为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品,提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴!
主营品牌:INFINEON(英飞凌)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、MICROCHIP(微芯)NS(国半)、VISHAY(威世)、NXP(恩智浦)、TI(德州仪器)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、RENESAS(瑞萨)、TOSHIBA(东芝)、MAXIM(美信)等等。
主营类型:逻辑、运放、电源、接口、保护、模拟、驱动、触摸、收音、射频、稳压、升压、开关、音频、时钟、转换器、视频、充电、降压、等其他一系列IC,汽车电路IC,智能高侧电源开关,MOS开关,高电流电机驱动。产品致力于汽车电路,工业自动化,智能家居,医疗设备领域的解决方案及技术支持。
业务:国外代理商密切合作、提供直接的货源、BOM配套、现货急缺物料、PPV项目、降低运营成本、减少产品的流通环节、呆料库存处理、小批量供用…等等解决需求。
BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
MG-WDSON-2
22+
150000