BSB165N15NZ3 G 氮化镓场效应晶体MOS管

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描述 OptiMOS 150v产品是同类功率功率MOSFETs 密度和能效解决方案。超低栅极和输出电荷 OptiMOS采用小尺寸封装，导通电阻 150V是稳压器苛刻要求的选择 太阳能、驱动、数据通信和电信应用解决方案。超级快 开关控制场效应晶体管和低EMI同步场效应晶体管提供的解决方案 很容易设计进去。OptiMOS产品具有高性能 解决您挑战性的应用的软件包，在以下方面提供充分的灵活性 优化空间、效率和成本

BSB165N15NZ3 G介绍： 

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:13.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:35 nC

工作温度:- 40 C ~ + 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:6.35 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.05 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导值:24 S

下降时间:7 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:10 ns

科时进电子有限公司介绍：

深圳市科时进电子有限公司创立于1993年，是一家集渠道代理与分销的半导体公司，合作伙伴遍布全世界。优良的品质，强大的库存满足了客户的采购需求，覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势，为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品，提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴！

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主营类型：逻辑、运放、电源、接口、保护、模拟、驱动、触摸、收音、射频、稳压、升压、开关、音频、时钟、转换器、视频、充电、降压、等其他一系列IC，汽车电路IC,智能高侧电源开关，MOS开关，高电流电机驱动。产品致力于汽车电路，工业自动化，智能家居，医疗设备领域的解决方案及技术支持。

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