BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

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BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1介绍: 

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET   

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: WDSON-2-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 80 V  

Id-连续漏极电流: 90 A  

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 73 nC  

工作温度: - 40 C - + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 3  

封装: Reel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 7 ns  

正向跨导: 36 S  

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

宽度: 5.05 mm  

单位重量: 86.370 mg

科时进电子有限公司介绍:

深圳市科时进电子有限公司创立于1993年,是一家集渠道代理与分销的半导体公司,合作伙伴遍布全世界。优良的品质,强大的库存满足了客户的采购需求,覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势,为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品,提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴!

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型号/规格

BSB044N08NN3GXUMA1

品牌/商标

Infineon Technologies

封装

MG-WDSON-2

批号

22+

数量

150000