BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1 氮化镓场效应晶体MOS管

BSB044N08NN3GXUMA1介绍： 

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET   

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: WDSON-2-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 80 V  

Id-连续漏极电流: 90 A  

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 73 nC  

工作温度: - 40 C - + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 3  

封装: Reel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 7 ns  

正向跨导: 36 S  

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

宽度: 5.05 mm  

单位重量: 86.370 mg

科时进电子有限公司介绍：

深圳市科时进电子有限公司创立于1993年，是一家集渠道代理与分销的半导体公司，合作伙伴遍布全世界。优良的品质，强大的库存满足了客户的采购需求，覆盖了广泛的大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势，为广大国内外客户提供有性价比的产品及服务。提升您的产品，提高您的竞争力,深圳市科时进电子有限公司是您值得信赖的合作伙伴！

主营品牌：INFINEON（英飞凌）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、MICROCHIP(微芯)NS（国半）、VISHAY(威世)、NXP(恩智浦)、TI(德州仪器)、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、RENESAS(瑞萨)、TOSHIBA(东芝)、MAXIM(美信)等等。

主营类型：逻辑、运放、电源、接口、保护、模拟、驱动、触摸、收音、射频、稳压、升压、开关、音频、时钟、转换器、视频、充电、降压、等其他一系列IC，汽车电路IC,智能高侧电源开关，MOS开关，高电流电机驱动。产品致力于汽车电路，工业自动化，智能家居，医疗设备领域的解决方案及技术支持。

业务:国外代理商密切合作、提供直接的货源、BOM配套、现货急缺物料、PPV项目、降低运营成本、减少产品的流通环节、呆料库存处理、小批量供用…等等解决需求。