BSB013NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

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BSB013NE2LXI 氮化镓场效应晶体MOS管 现货

BSB013NE2LXI介绍： 

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: WDSON-2-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 25 V  

Id-连续漏极电流: 163 A  

Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 62 nC  

工作温度: - 40 C ~ + 150 C  

Pd-功率耗散: 57 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 4.8 ns  

正向跨导 : 170 S  

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6.4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 32 ns  

典型接通延迟时间: 5.4 ns  

宽度: 5.05 mm  

单位重量: 83.860 g

科时进电子有限公司介绍：

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