BSB104N08NP3GXUSA1 氮化镓场效应晶体MOS管

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BSB104N08NP3GXUSA1介绍： 

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: WDSON-2-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 80 V  

Id-连续漏极电流: 50 A  

Rds On-漏源导通电阻: 10.4 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V  

Qg-栅极电荷: 31 nC  

工作温度: - 40 C - + 150 C

Pd-功率耗散: 42 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 3  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 4 ns  

正向跨导 : 23 S  

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 19 ns  

典型接通延迟时间: 9 ns  

宽度: 5.05 mm  

单位重量: 79.780 mg

科时进电子有限公司介绍：

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