产品详情

L6561

地区：广东 广州
认证： 无

广州市越秀区勇兴电子经营部

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经营范围

二、三*管、场效应、可控硅、三端稳压、晶振、滤波、变容管、微调电阻电容、快速、肖特基、桥堆、干环管、放电管、IC集成电路、电源配件、手机配件、贴片元件等等：

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

L6561DTR

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

GEP/互补类型

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

6（V）

夹断电压

8（V）

跨导

8（μS）

*间电容

5（pF）

低频噪声系数

8（dB）

漏*电流

9（mA）

耗散功率

2（mW）