供应全新进口原装IXYS模块DSEI2X121-02A 华海专营IXYS等功率管 模块

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供应IXYS模块DSEI2X121-02A

DSEI2X121-02A参数

制造商:德国IXYS
产品种类:IGBT 模块
RoHS:否
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
VRRM=200V
IFAV=2 X 123A
trr= 35ns
封装 / 箱体EconoPIM2
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装:100/盒
 
IGBT介绍
IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照像机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等领域。根据封装的不同,IGBT大致分为两种类型,一种是模压树脂密封的三端单体封装型,从TO-3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD (FleeWheelDiode)成对地(2或6组)封装起来的模块型,主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同,分为多种形状及封装方式,都已形成系列化。 
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,与同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化 IGBT驱动器的原理图。
型号/规格

DSEI2X121-02A

品牌/商标

IXYS

环保类别

无铅环保型