供应IXYS模块DSEI2X61-06C,全新进口原装，假1罚10。华海专营IR IXYS等电子元器件Q

制造商:德国IXYS

产品种类:IGBT 模块

RoHS:否

产品IGBT Silicon Modules

配置Hex

V_RRM=400/600V

I_FAV=2 X 60 A

t_rr= 35ns

封装 / 箱体EconoPIM2

栅极/发射极最大电压+/- 20 V

最小工作温度- 40 C

安装风格Screw

标准包装：100/盒

 

IGBT介绍

IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD （FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。 
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 IGBT驱动器的原理图。