供应原装现货BS250

FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）45V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）14 欧姆 @ 200mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 1mAVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）60pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）700mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）