汇创佳电子分销NTR1P02T1G
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 2.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 165pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
20V
400mW
165pF @ 5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
