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产品属性
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深圳市汇创佳电子科技有限公司
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF3205PBF
描述
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
扩展描述
N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3247pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 62A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
55V
110A
-55°C ~ 175°C(TJ)
TO-220-3