供应TJ8S06M3L
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
深圳市汇创佳电子科技有限公司 朱先生 欢迎来电咨询！
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
104 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
890pF @ 10V
功率 - 最大值
27W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
60V
8A（Ta）
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
175°C（TJ）
