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汇创佳电子分销STD96N3LLH6 STD95N3LLH6

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类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 DeepGATE™，STripFET™ VI
其它名称 497-8891-2 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 40A，10V
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-6
电压

30V

电流

80A

工作温度

175°C（TJ）

封装/外壳

TO-252-3