供应东沅场效应管 FKBA90N12 N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA90N12 PRPAK5x6 N沟道120V快速开关MOSFET

FKBA90N12产品特征

● 先进的沟槽MOS技术
● 低栅极电荷
● RDS低（ON）
● 100%EAS保证
● 绿色设备可用

FKBA90N12产品应用
● 负载开关
● LED应用
● 网络应用程序
● 快速充电器

额定参数
● 漏极-源极电压：120V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：90A
ID@TC=100℃：57A
● 脉冲漏极电流：320A
● 单脉冲雪崩能量：576mJ
● 雪崩电流：48A
● 总功耗：125W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

产品规格书（部分）