供应FKBA3496 东沅双非对称N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA3496 PRPAK5x6 30V双非对称N沟道MOSFET

FKBA3496额定参数

● 漏极-源极电压：30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：50A，60a
ID@TC=100℃：31A，38A
● 脉冲漏极电流：100A、120A
● 单脉冲雪崩能量：61.3mJ，80mJ
● 雪崩电流：35A、40A
● 总功耗：21W、22W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

FKBA3496电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A:4.5~5.2mΩ
VGS=4.5V，ID=15A:7.2~9mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.2V
● 漏源漏电流
VDS=30V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=30V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：65S
● 栅极电阻：0.8Ω1.7Ω2.6Ω
● 闸门总电荷：29nC
● 栅极-源极电荷：2.8nC
● 栅极-漏极电荷：3.6nC
● 开机延迟时间：7ns
● 上升时间：18.8ns
● 关闭延迟时间：19.5ns
● 秋季时间：3.4ns
● 输入电容：1113pF
● 输出电容：436pF
● 反向传输电容：55pF

产品规格书（部分）