供应蓝箭原装现货 BRCS80N06DP N沟道MOSFET

BlueRocket/蓝箭电子 BRCS80N06DP TO-252塑封封装N沟道场效应管

描述

BRCS80N06DP是TO-252塑封封装N沟道场效应管。

特征

RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快。无卤产品。

用途
用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。

电性能参数（Ta=25℃）

● 漏源电压：60V
● 漏极电流（Tc=25℃）：80A
● 漏极电流（Tc=100℃）：65.6A
● S雨电流-脉冲：240A
● 栅源电压：±20V
● 雪崩能量：215mJ
● 雪崩电流：23.2A
● 功耗：75W
● 结温范围：150℃
● 储存温度范围：-55～150℃
● 与环境的zui大连接：15℃/W
● 环境稳态zui大结温：60℃/W
● zui大结至壳体稳态：1.6℃/W
● 漏源击穿电压：60V
● 零栅极电压漏极电流
VDS=60V VGS=0V：1.0μA
VDS=48V TC=150℃：10μA
● 门体正向泄漏电流：±0.1μA
● 栅极阈值电压：1V 1.7V 2.5V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V ID=60A: 11~13mΩ
VGS=4.5V ID=30A: 16~20mΩ
● 漏源二极管正向电压：0.67~1.5V

BRCS80N06DP产品规格书（部分）