供应SVSP11N65KD2-超结MOS功率管
地区:广东 深圳
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无
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SVSP11N65KD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L 超结MOS功率管
SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
封装:TO-220FJD-3L
TO-263-2L
TO-262-3L
TO-252-2L
TO-220F-3L
TO-220-3L
SVSP11N65KD2
Silan/士兰微
TO-252-2L
22+
中国