供应SVS5N65FD2-士兰微电子超结MOS

SVS5N65FD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220F-3L  5A 650V超结MOS功率管

SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
5A,650V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

型号：SVS5N65F(D)(FJH)D2

封装：TO-252-2L
TO-220FJH-3L
TO-220F-3L