供应APW8879B-8A同步降压变换器100mA LDO

APW8879B 电子元器件 ANPEC/茂达 封装TQFN2x3-12 

高输入电压3.33V / 8A同步降压变换器100mA LDO

一般的描述
APW8879B是一款8A同步降压转换器，集成25mΩ高侧MOSFET和12mΩ低侧MOSFET。采用恒定准时控制架构设计的APW8879B可以降低高电压，以适应IMPV8应用的低压芯片组。APW8879B配备了自动PFM/PWM模式操作。在轻负载时，转换器在PFM模式下工作，以减少开关损耗并提供高效率。在大负荷下，转换器工作在PWM模式，并在接近恒定的频率下工作，以实现低噪声要求。
APW8879B还配备了通电复位，软启动和整体保护(欠压，过压，过温，过流和限流)为一个单一的封装。带有250kHz时钟驱动器的充电泵电路使用VOUT作为电源，产生大约10~12V的直流电压。
该器件采用TQFN 2x3-12封装，提供了一个非常紧凑的系统解决方案，zui大限度地减少外部组件和PCB面积。

特性
工作范围宽，从%2B5.5V到%2B24V输入
电压
VIN 4.5V ~ 4.9V上电复位监测
范围
内置100uA低静止电流
支持IOUT = 8A应用
内置PWM和PFM控制方案与COT
achitecture
内置集成引导向前P-CH
场效应晶体管
固定开关频率从700khz
固定3.33V VOUT REF电压%2B0.6%
精度
支持EN引脚超声波模式选择
支持内置固定软启动时间2.4ms
集成25mΩ n通道MOSFET高
边金属氧化物半导体
集成12mΩ n通道MOSFET低侧
金属氧化物半导体
内置开漏式POK功能和EN
控制
内置3.3V / 100mA LDO和切换
场效应晶体管
带PWM输出
UVP设置为VREF的70%，OVP设置为125%
VREF和热停堆
内置过流保护和电流限制
使用高侧MOSFET RDS(on)和保护
低侧MOSFET RDS(on)传感
TQFN 2x3-12P倒装芯片，无铅和RoHS
兼容的

应用程序
笔记本
图形卡
主板