IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

IPDH4N03LA-G   晶体管 Infineon  产品属性 

IPDH4N03LA-G  MOSFET 25V 90A TO252-3

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 25 V 
Id-连续漏极电流: 90 A 
Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Pd-功率耗散: 94 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Cut Tape 
封装: Reel 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 小值: 90 S / 45 S  
下降时间: 4.6 ns  
湿度敏感性: Yes  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 7 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 29 ns  
典型接通延迟时间: 9 ns  
单位重量: 4 g  

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IPDH4N03LA-G  MOSFET 25V 90A TO252-3