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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.   特点:   具有输入电阻高(100MΩ~1 032MΩ)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.   作用:   场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻*很高,因此耦合电容可以容量较小,不*使用电解电容器.   场效应管可以用作电子开关??级作阻*变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. [编辑本段]2.场效应管的分类:   场效应管分结型、*缘栅型(MOS)两大类   按沟道材料:结型和*缘栅型各分N沟道和P沟道两种.   按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,*缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。   场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 7 ? ? ?

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品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

IRF820PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

IGBT*缘栅比*

夹断电压

30

开启电压

25