供应MOS管 PSMN2R6-40YS

地区:广东 深圳
认证:

深圳烨雄科技有限公司

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通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 40 V
最大漏源电阻值 3.7 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 ±20 V
封装类型 SOT-669
安装类型 表面贴装
晶体管配置
引脚数目 4
通道模式 增强
最大功率耗散 131 W
典型输入电容值@Vds 3776 pF @ 12 V
高度 1.1mm
典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V
工作温度 -55 °C
尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
长度 5mm
最高工作温度 +175 °C
典型关断延迟时间 46 ns
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
Board Level Components Y
宽度 4.1mm
典型接通延迟时间 24 ns
型号/规格

PSMN2R6-40YS

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-669

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

连续漏极电流

100 A

漏源电压

40 V

通道模式

增强

工作温度

-55 °C-+175 °C