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2N2222A TO-18 原装现货BOM配单

地区：广东深圳

认证：无

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2N2222A TO-18 原装现货BOM配单

制造商:

Central Semiconductor

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-18

晶体管极性:

NPN

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

40 V

集电极—基极电压 VCBO:

75 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

6 V

集电极—射极饱和电压:

1 V

最大直流电集电极电流:

0.8 A

Pd-功率耗散:

400 mW

增益带宽产品fT:

300 MHz

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

2N2222

封装:

Bulk

高度:

5.33 mm

长度:

5.84 mm

技术:

Si

宽度:

5.84 mm

商标:

Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:

35

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

2000

子类别:

Transistors

零件号别名:

2N2222A PBFREE

单位重量:

1 g

2N2222A TO-18 原装现货BOM配单

制造商: Central Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-18

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V

集电极—基极电压 VCBO: 75 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 1 V

最大直流电集电极电流: 0.8 A

Pd-功率耗散: 400 mW

增益带宽产品fT: 300 MHz

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: 2N2222

封装: Bulk

高度: 5.33 mm

长度: 5.84 mm

技术: Si

宽度: 5.84 mm

商标: Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量: 2000

子类别: Transistors

零件号别名: 2N2222A PBFREE

单位重量: 1 g

制造商:

Central Semiconductor

产品种类:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

详细信息

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-18

晶体管极性:

NPN

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

40 V

集电极—基极电压 VCBO:

75 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

6 V

集电极—射极饱和电压:

1 V

最大直流电集电极电流:

0.8 A

Pd-功率耗散:

400 mW

增益带宽产品fT:

300 MHz

最小工作温度:

- 65 C

最大工作温度:

+ 150 C

系列:

2N2222

封装:

Bulk

高度:

5.33 mm

长度:

5.84 mm

技术:

Si

宽度:

5.84 mm

商标:

Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:

35

产品类型:

BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:

2000

子类别:

Transistors

零件号别名:

2N2222A PBFREE

单位重量:

1 g