NT5CB256M16EP-DI 优势供应NANYA原装DDR3

NT5CB256M16EP-DI NANYA（南亚）DDR3存储芯片 原厂原装

生产商：NANYA（南亚）

产品类别：第三代双倍数据率同步动态随机存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3

存储容量：4Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：-

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.5V

工作温度：0°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-96

原厂包装：托盘

零件状态：在售

产品用途：NANYA（南亚）的DDR3存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备。我司供应的产品包含NANYA（南亚）的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory）第三代双倍数据率同步动态存储器，是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。封装方面（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。关于突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。在寻址时序方面（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 从环保角度去看，降低功耗对业界是有着实实在在的贡献的，全球的PC每年的耗电量相当惊人，即使是每台PC减低1W的幅度，它的省电量都是非常可观的。DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比DDR2更好。

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