NT5CB256M16EP-DI 优势供应NANYA原装DDR3

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NT5CB256M16EP-DI NANYA(南亚)DDR3存储芯片 原厂原装


生产商:NANYA(南亚)

产品类别:第三代双倍数据率同步动态随机存储器

系列:-

存储格式:DRAM

存储技术:SDRAM-DDR3

存储容量:4Gb

存储接口:并联

SPEED(速度):-

时钟频率:-

写入时间:-

访问时间:-

电压-电源:1.5V

工作温度:0°C ~ 95°C(TC)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:FBGA-96

原厂包装:托盘

零件状态:在售

产品用途:NANYA(南亚)的DDR3存储芯片主要应用于服务器,智能电视,视频监控,汽车电子,物联网设备,网络机顶盒,通信设备,平板电脑等消费类以及工业类电子设备。我司供应的产品包含NANYA(南亚)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。


DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory)第三代双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。封装方面(Packages)DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。关于突发长度(BL,Burst Length)由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。在寻址时序方面(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。 从环保角度去看,降低功耗对业界是有着实实在在的贡献的,全球的PC每年的耗电量相当惊人,即使是每台PC减低1W的幅度,它的省电量都是非常可观的。DDR3内存在达到高带宽的同时,其功耗反而可以降低,其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗,当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡,对比现有的DDR2-800产品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不但内存带宽大幅提升,功耗表现也比DDR2更好。


价格说明

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购买说明

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型号

NT5CB256M16EP-DI

品牌

NANYA

封装

FBGA96

容量

4Gb

包装

托盘

存储技术

SDRAM-DDR3

存储格式

DRAM

存储类型

易失

安装类型

表面贴装