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产品属性
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NT5CC128M8GN-DI NANYA(南亚)DDR3L存储器
主要参数
型号:NT5CC128M8GN-DI
生产商:NANYA(南亚)
产品类别:第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3L
存储容量:1Gb (128M x 8)
存储接口:并联
SPEED(速度):
时钟频率:-
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.283V ~ 1.45V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA78
原厂包装:卷带
零件状态:在售
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
DDR3L SDRAM,第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格, DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。
DDR3L与DDR3功耗区别
标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。
比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。
DDR3L与DDR3性能区别
DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
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NT5CC128M8GN-DI
NANYA
FBGA78
1Gb
卷盘
SDRAM-DDR3L
DRAM
易失
表面贴装
K4T51083QN-BIE7 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
IS43DR16640C-25DBLI 供应ISSI原装DDR2
IS42S32400F-6BLI 供应ISSI原装SDRAM
IS43TR16512BL-125KBLI 供应ISSI原装DDR3
K4A4G165WE-BIWE SAMSUNG原装DDR4 现货供应
MT41J128M16HA-187E:D MICRON原装DDR3 现货供应
供应NT6AN256T32AV-J2 NANYA原装LPDDR2
K4T51163QN-BCF8 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
NT5CB512M8DN-DII 优势供应NANYA原装DDR3
供应NT5CC512M8EQ-FL NANYA原装DDR3L