图文详情
产品属性
相关推荐
主要参数
型号:MT41J64M16JT-15EAAT:G
生产商:MICRON
封装:FBGA
包装:卷盘
容量:1Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储接口:并联
工作电压:1.425V ~ 1.575V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。
确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
MT41J64M16JT-15EAAT
MICRON
FBGA96
1Gb
卷盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
K4B2G1646E-BCKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
IS42S32800J-7BLI 供应ISSI原装SDRAM
HY5PS561621BFP-25 SKhynix原装DDR2 现货供应
供应K4F6E304HB-MGCH SAMSUNG原装LPDDR4
H26M31003GMR SKhynix原装eMMC 现货供应
H5TC4G63CFR-RDA SKhynix原装DDR3 现货供应
NT5CB512M8EN-FL 优势供应NANYA原装DDR3
IS45S32200L-7TLA1 供应ISSI原装SDRAM
IS43TR82560CL-125KBLI 供应ISSI原装DDR3
MT41J128M16JT-107G:K MICRON原装DDR3 现货供应