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产品属性
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主要参数
型号:H26M31003GMR
生产商:SK hynix
封装:FBGA
包装:托盘
容量:4Gb
存储类型:非易失
存储格式:闪存
存储技术:FLASH-NAND
存储接口:MMC
工作电压:2.7V ~ 3.6V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
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具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
H26M31003GMR
SK hynix
FBGA
4Gb
托盘
FLASH-NAND
闪存
非易失
表面贴装
IS42S32800J-7TLI 供应ISSI原装SDRAM
NT5CB256M16EP-EK 优势供应NANYA原装DDR3
H5TQ2G83CFR-H9C SKhynix原装DDR3 现货供应
IS42S16320B-6TLI 供应ISSI原装SDRAM
NT5CC128M8GN-DII NANYA原装DDR3L 现货供应
K4B4G1646D-BCMA SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4B4G1646E-YCMA SAMSUNG原装DDR3 现货供应
MT47H128M16RT-3 IT:C 供应MICRON原装DDR2
K4B4G1646E-BMMA SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应NT5CC512M8EN-DI NANYA原装DDR3L