图文详情
产品属性
相关推荐
IS46TR16128A-15HBLA1 ISSI(芯成半导体) 原厂原装 SDRAM-DDR3
生产商:ISSI(芯成半导体)
规格型号:IS46TR16128A-15HBLA1
英文名称:DDR3 SDRAM
中文名称:三代双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-96
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含ISSI(芯成半导体)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
DDR3
DDR3内存采用8 bit 预取设计,较DDR2 4bit 的预取设计提升一倍,其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。此外,DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ,较 DDR2 的 1.8V 更为省电,发热量更小。此外,DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的设计,以确保在数据不遗失情况下,尽量减少更新频率来降低温度。从整体规格上看,DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大,提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是,就像DDR2和DDR的对比一样,在相同的时钟频率下,DDR2与DDR3的数据带宽是一样的,只不过DDR3的速度提升潜力更大。
价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
IS46TR16128A-15HBLA1
ISSI
FBGA96
2Gb
托盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
IS46TR16256A-125KBLA1 供应ISSI原装DDR3
K4B4G0846E-BCNB SAMSUNG原装DDR3 现货供应
MT47H64M16HR-25E:H 供应MICRON原装DDR2
供应MT48LC16M16A2P-75IT:D MICRON原装SDR
EDW4032BABG-60-F-D 供应MICRON原装GDDR5
IS42S16400J-6BL 供应ISSI原装SDRAM
K4B2G1646E-BCH9 SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4B2G0846F-BCNB SAMSUNG原装DDR3 现货供应
MT41J256M16LY-091G:N MICRON原装DDR3 现货供应
供应MT48LC4M32B2P-7:G MICRON原装SDR