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产品属性
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IS46TR16256A-125KBLA1 ISSI(芯成半导体) 原厂原装 SDRAM-DDR3
生产商:ISSI(芯成半导体)
规格型号:IS46TR16256A-125KBLA1
英文名称:DDR3 SDRAM
中文名称:三代双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-96
原厂包装:托盘
零件状态:批量生产
产品用途:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端。我司供应的产品包含ISSI(芯成半导体)的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储产品。
DDR3
DDR3内存采用8 bit 预取设计,较DDR2 4bit 的预取设计提升一倍,其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。此外,DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ,较 DDR2 的 1.8V 更为省电,发热量更小。此外,DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的设计,以确保在数据不遗失情况下,尽量减少更新频率来降低温度。从整体规格上看,DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大,提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是,就像DDR2和DDR的对比一样,在相同的时钟频率下,DDR2与DDR3的数据带宽是一样的,只不过DDR3的速度提升潜力更大。
价格说明
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购买说明
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IS46TR16256A-125KBLA
ISSI
FBGA96
4Gb
托盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
供应NT6AP256M16AV-J2 NANYA原装LPDDR4
NT5CB128M8DN-DH 优势供应NANYA原装DDR3
IS43DR86400C-25DBL 供应ISSI原装DDR2
供应K3RG8G80MM-MGCJ SAMSUNG原装LPDDR4
H5PS5182KFR-S5C SKhynix原装DDR2 现货供应
K4B1G1646I-BYKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应MT48LC8M32B2B5-7 IT MICRON原装SDR
IS42S16800E-6TLI 供应ISSI原装SDRAM
H5ANAG6NAMR-TFC SKHynix原装DDR4 现货供应
NT5AD512M8D3-HRT NANYA原装DDR4 现货供应