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产品属性
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主要参数
生产商:NANYA(南亚)
规格型号:NT6CL256T32BM-H2
英文名称:Low Power DDR4
中文名称:四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-LPDDR4
存储容量:8Gb
存储接口:并联
电压-电源:-
工作温度:-30C〜105C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA-216
原厂包装:托盘
零件状态:在售
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
LPDDR4和LPDDR3的区别
LPDDR全称是low power double data rate的缩写,中文直译是低功耗双重数据比率,也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,专门用于移动式电子产品。
目前市场上主流的是第三代,叫做LPDDR3,最新一代技术是LPDDR4。
1、带宽更大:与LPDDR3相比,LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大,“内存敏感型”的游戏应用、120fps慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制将直接受益。当运行一些大量占用RAM的应用时,由于需要将大量数据在短时间内存入RAM,此时LPDDR4的优势便可以体现出来。
2、功耗更低:值得一提的是,LPDDR4在提升了速度的同时,还将工作电压降低到1.1V,而LPDDR3为1.2V,继续增强了手机续航能力。
价格说明
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购买说明
客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
NT6AN256T32AV-J1
NANYA
FBGA
托盘
SDRAM-LPDDR4
表面贴装
IS42S16100C1-7TL 供应ISSI原装SDRAM
H5GC8H24AJR-R2C 海力士GDDR5 原装现货
供应K4FBE3D4HM-GFCL SAMSUNG原装LPDDR4
H5TQ1G83EFR-H9C SKhynix原装DDR3 现货供应
IS43TR16128B-15HBLI 供应ISSI原装DDR3
H5TQ2G83CFR-PBC SKhynix原装DDR3 现货供应
K4B1G0846I-BYNB SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应K4F4E3S4HF-GFCJ SAMSUNG原装LPDDR4
H5TC4G63EFR-PBA SKhynix原装DDR3 现货供应
MT40A1G8WE-083EIT:B MICRON原装DDR4 现货供应